PANJITの新製品 30V,40V車載用MOSFET
PANJITは、車載電子システムの性能を高めるために設計された新しいPチャネルおよびNチャネル・パワーMOSFETをラインアップしました。AEC-Q101認証を取得し、動作接合部温度が175℃のPチャネルMOSFETは、信頼性と回路の簡素化を求める設計エンジニアに最適です。 これらのMOSFETは、RDS(ON)を最小化し、アバランシェ耐性を最大化し、DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA、TO-263、TO-263-7Lパッケージで提供できます。
PANJITのNチャネルパワーMOSFETは、最先端のトレンチ技術を採用し、優れた性能係数(FOM)、低RDS(ON)、静電容量を実現しています。 これらのMOSFETは、DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AAパッケージで提供でき、効率的で信頼性の高いPCB設計に貢献します。
革新性と信頼性を兼ね備えたPANJITの低電圧MOSFETは、電源設計回路を簡素化し、自動車設計エンジニアのニーズの変化に対応します。 これらの部品は、高性能車載アプリケーションに最適なソリューションを提供することで、カーエレクトロニクスの未来を築くというPANJITのコミットメントを示すものです。
30Vおよび40V車載グレードPチャンネルMOSFETの主な特長:
• Pチャネル強化ロジックレベルMOSFET
• 低RDS(ON)で導通損失を最小化
• 低熱抵抗パッケージ
• 100%UIS試験に合格
• 静電気保護(ESD)機能
• AEC-Q101認証およびPPAP準拠
• 175℃の高温動作
• 大電流TO-263-7Lパッケージ
30Vおよび40V車載グレードNチャンネルMOSFETの主な特長:
• 40V NチャンネルMOSFET
• 導通損失を最小限に抑える低RDS(ON)
• ドライバー損失を最小限に抑える低FOM
• 標準レベルおよびロジックレベルが利用可能
• AEC-Q101認証およびPPAP準拠
• 175℃の高温動作
About PANJIT
PANJIT International Inc. (TWSE: 2481) has vertical integration capability and IDM design technology. Our business scope covers frontend wafer design, manufacturing, backend assembly and marketing under our own brand name. We are committed to investing in innovation R&D, enhancing automation, and optimizing manufacturing workmanship. Our product range includes IC, MOSFET, IGBT, SiC diode, FRED, bridge rectifier, rectifier diode, Schottky diode, TVS, ESD, and BJT, which are used in EVs, wind power, solar power, and UPS energy storage systems. Our products meet JEDEC standards and are manufactured in sites with relevant system certificates such as ISO 9001, IATF 16949, ISO 14000, ISO45001, IECQ QC080000, and ESD S20.20. We are committed to reducing global carbon emissions and aim to achieve carbon neutrality before 2040 and to become an advocate for the industry towards low-carbon sustainable development.
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